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PSMN004-60B,118  与  IPB037N06N3 G  区别

型号 PSMN004-60B,118 IPB037N06N3 G
唯样编号 A-PSMN004-60B,118 A-IPB037N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.7mΩ@90A,10V
上升时间 - 70ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W 188W
Qg-栅极电荷 - 98nC
输出电容 1050pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 61S
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A 90A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 8300pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3.6mΩ@10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 30ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.8159
400+ :  ¥10.0135
800+ :  ¥9.1867
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 60V 75A

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.346 

阶梯数 价格
10: ¥5.346
100: ¥4.279
384 对比
IPB034N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB034N06L3GATMA1_60V 90A 2.7mΩ 20V 167W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRF3805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRFS3206 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 120A,210A 3mΩ 300W 车规

暂无价格 0 对比
IPB037N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3GATMA1_60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比

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